以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，在5G、電動/混動汽車、照明、可再生能源、服務(wù)器和工業(yè)電源等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，而這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ骷男阅芎涂煽啃杂兄鴺O高的要求。本次直播將重點介紹如何確保向用戶交付的SiC和GaN器件既可靠又有出色的電性能。

主辦

中國電子信息博覽會（CITE2020）

協(xié)辦

上海市集成電路行業(yè)協(xié)會

《中國電子商情》雜志社

合作媒體

TechSugar、科鈦網(wǎng)、半導(dǎo)體商城

解讀基于第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件的電源測試設(shè)計方案

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC& GaN為電源設(shè)計行業(yè)的發(fā)展帶來了重大變革。GaN 技術(shù)將廣泛應(yīng)用于RF功率放大器，SiC則在電機、驅(qū)動器和逆變器等較大功率設(shè)計中找到了用武之地。半導(dǎo)體研發(fā)工程師正在努力驗證和檢定新器件。驅(qū)動器制造商正在研發(fā)新的電路驅(qū)動器來滿足更快開關(guān)速度、EMI 管理和更復(fù)雜拓?fù)渚W(wǎng)絡(luò)的要求。本次直播將為您解讀基于全新第三代寬禁帶半導(dǎo)體的電源設(shè)計的全新測試解決方案，半導(dǎo)體廠家如何標(biāo)定這些器件的靜態(tài)參數(shù)，如何驗證它的動態(tài)參數(shù)，如何優(yōu)化橋式電路設(shè)計及最終產(chǎn)品級別的評價。

演講嘉賓：泰克科技華東區(qū)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理 黃正峰

黃正峰先生畢業(yè)于浙江大學(xué)信息工程專業(yè)，泰克資深技術(shù)專家，專攻功率電子領(lǐng)域新技術(shù)與方案。鉆研測試測量技術(shù)超過14載，對光伏、儲能、鋰電、微網(wǎng)、EV、物聯(lián)網(wǎng)、光通信等多個應(yīng)用方向的電測技術(shù)進行了深入的研究，對各行業(yè)中的電源測試有著深刻的理解和豐富的經(jīng)驗。

碳化硅功率器件技術(shù)及可靠性探討

演講摘要：重點介紹SiC在設(shè)計和制造過程中需要重點關(guān)注的技術(shù)點，以確保交付給客戶高質(zhì)量的產(chǎn)品。

1）SiC器件的襯底和外延片的技術(shù)要點；

2） SiC芯片設(shè)計時可靠性驗證的方法；

3）芯片封裝和測試的技術(shù)要點。

演講嘉賓：基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷總監(jiān) 魏煒

魏煒先生畢業(yè)于華中科技大學(xué)，電力電子技術(shù)碩士。曾供職于艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司，之后加入國內(nèi)知名代理商晶川電子，任技術(shù)支持總監(jiān)。于2010年加入CONCEPT，被PI收購后任中國區(qū)IGBT驅(qū)動器產(chǎn)品線技術(shù)總監(jiān)。2019年加入基本半導(dǎo)體。