稀土元素：半導體制造的 “工業(yè)維生素”

在化學周期表中，鑭系元素與釔、鈧組成的 17 種稀土元素，憑借 “微量優(yōu)化材料性能” 的特性，被譽為 “工業(yè)維生素”。在半導體產(chǎn)業(yè)中，稀土貫穿設備制造、材料研發(fā)、先進工藝全鏈條，其作用不可替代。

設備級支撐：EUV 光刻機的晶圓臺依賴釹鐵硼（NdFeB）永磁體實現(xiàn)納米級精度運動，單臺設備需數(shù)十公斤稀土磁鋼。光源系統(tǒng)中，釹摻雜釔鋁石榴石（Nd:YAG）晶體用于輔助激光檢測，而鋱鎵石榴石（TGG）晶體則是光學隔離器的核心材料。材料創(chuàng)新突破：氧化鈰（CeO?）拋光劑在化學機械拋光（CMP）中對 SiO?的選擇性去除率是傳統(tǒng)磨料的 3 倍以上；氧化釔（Y?O?）涂層可將刻蝕機部件壽命延長 5 倍。先進制程關鍵：在 3nm 以下節(jié)點，鑭摻雜的 HfO?高 k 介質材料可降低晶體管閾值電壓 20%，顯著提升能效比。

中國稀土管制新政：重構全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈格局

2025 年 10 月 9 日，中國商務部發(fā)布新規(guī)，對涉及 14nm 以下邏輯芯片、256 層以上存儲芯片的稀土出口實施逐案審批，并首次將稀土二次資源回收技術納入管制范圍。此舉直接沖擊三星、SK 海力士等國際巨頭的擴產(chǎn)計劃，據(jù)測算可能導致全球高端芯片產(chǎn)能增速放緩 15%。與此同時，國內稀土產(chǎn)業(yè)鏈加速自主化：北方稀土的高性能釹鐵硼磁鋼已通過 ASML 認證，用于下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機；有研稀土研發(fā)的氧化銪（Eu?O?）薄膜，實現(xiàn)與 CMOS 工藝兼容的硅基發(fā)光器件，打破國外在光電子集成領域的壟斷。

IC China 2025：稀土技術與產(chǎn)業(yè)融合的風向標

作為中國半導體行業(yè)年度盛會， 第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025） 將于 11 月 23-25 日在北京國家會議中心舉辦，首次設立 “稀土半導體材料與設備專區(qū)”，集中展示稀土在芯片制造各環(huán)節(jié)的創(chuàng)新應用。核心亮點前瞻：

1. 設備制造：中科院長春光機所將展示基于銩（Tm）激光器的 EUV 光源原型機，能效比現(xiàn)有 CO?激光器提升 10 倍，預計 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。
2. 材料創(chuàng)新：江西理工大學團隊將發(fā)布全球首款摻鈧（Sc）的氮化鋁（AlN）壓電薄膜，使 5G 射頻濾波器性能提升 40%。
3. 先進工藝：中芯國際將演示稀土摻雜的高 k 介質在 2nm GAA 晶體管中的應用，漏電率較傳統(tǒng)工藝降低 90%。
4. 循環(huán)經(jīng)濟：廈門鎢業(yè)將展示稀土永磁體回收技術，實現(xiàn)鏑（Dy）、鋱（Tb）等中重稀土的閉環(huán)利用，成本較原礦開采降低 60%。

政策與產(chǎn)業(yè)聯(lián)動：展會期間將舉辦 “稀土 - 半導體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展論壇”，工信部相關負責人將解讀最新管制政策，華為海思、長江存儲等龍頭企業(yè)將分享稀土材料的國產(chǎn)化替代進展。

未來趨勢：稀土驅動半導體技術范式變革

1. 極紫外光刻突破：LLNL 的銩激光器若商業(yè)化，可使 EUV 光刻成本降低 70%，推動 2nm 以下制程普及。
2. 自旋電子學革命：摻銩（Tm）的稀磁半導體（DMS）將實現(xiàn)磁存儲與邏輯運算的集成，存儲密度較傳統(tǒng) MRAM 提升 10 倍。
3. 硅基光電集成：氧化銪（Eu?O?）薄膜與硅光子學的結合，有望催生低成本光通信模塊，打破國外在光芯片領域的壟斷。

稀土元素正從 “幕后” 走向 “臺前”，成為半導體產(chǎn)業(yè)升級的關鍵變量。IC China 2025 作為產(chǎn)業(yè)風向標，將集中呈現(xiàn)稀土技術的最新突破與應用場景，為全球半導體從業(yè)者提供洞察未來的窗口。隨著中國在稀土資源與技術領域的雙重發(fā)力，一場由 “工業(yè)維生素” 驅動的科技革命正在悄然開啟。展會信息速覽

• 第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025）
  

• 時間：2025 年 11 月 23-25 日

• 地點：北京?國家會議中心

• 展位預定：13810788214