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鶴崗市IC China 2025:稀土技術(shù)與產(chǎn)業(yè)融合的風(fēng)向標(biāo)

稀土元素:半導(dǎo)體制造的 “工業(yè)維生素”

在化學(xué)周期表中,鑭系元素與釔、鈧組成的 17 種稀土元素,憑借 “微量優(yōu)化材料性能” 的特性,被譽(yù)為 “工業(yè)維生素”。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,稀土貫穿設(shè)備制造、材料研發(fā)、先進(jìn)工藝全鏈條,其作用不可替代。

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設(shè)備級支撐:EUV 光刻機(jī)的晶圓臺依賴釹鐵硼(NdFeB)永磁體實(shí)現(xiàn)納米級精度運(yùn)動,單臺設(shè)備需數(shù)十公斤稀土磁鋼。光源系統(tǒng)中,釹摻雜釔鋁石榴石(Nd:YAG)晶體用于輔助激光檢測,而鋱鎵石榴石(TGG)晶體則是光學(xué)隔離器的核心材料。材料創(chuàng)新突破:氧化鈰(CeO?)拋光劑在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中對 SiO?的選擇性去除率是傳統(tǒng)磨料的 3 倍以上;氧化釔(Y?O?)涂層可將刻蝕機(jī)部件壽命延長 5 倍。先進(jìn)制程關(guān)鍵:在 3nm 以下節(jié)點(diǎn),鑭摻雜的 HfO?高 k 介質(zhì)材料可降低晶體管閾值電壓 20%,顯著提升能效比。

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中國稀土管制新政:重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格局

2025 年 10 月 9 日,中國商務(wù)部發(fā)布新規(guī),對涉及 14nm 以下邏輯芯片、256 層以上存儲芯片的稀土出口實(shí)施逐案審批,并首次將稀土二次資源回收技術(shù)納入管制范圍。此舉直接沖擊三星、SK 海力士等國際巨頭的擴(kuò)產(chǎn)計劃,據(jù)測算可能導(dǎo)致全球高端芯片產(chǎn)能增速放緩 15%。與此同時,國內(nèi)稀土產(chǎn)業(yè)鏈加速自主化:北方稀土的高性能釹鐵硼磁鋼已通過 ASML 認(rèn)證,用于下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī);有研稀土研發(fā)的氧化銪(Eu?O?)薄膜,實(shí)現(xiàn)與 CMOS 工藝兼容的硅基發(fā)光器件,打破國外在光電子集成領(lǐng)域的壟斷。

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IC China 2025:稀土技術(shù)與產(chǎn)業(yè)融合的風(fēng)向標(biāo)

作為中國半導(dǎo)體行業(yè)年度盛會, 第二十二屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(IC China 2025) 將于 11 月 23-25 日在北京國家會議中心舉辦,首次設(shè)立 “稀土半導(dǎo)體材料與設(shè)備專區(qū)”,集中展示稀土在芯片制造各環(huán)節(jié)的創(chuàng)新應(yīng)用。核心亮點(diǎn)前瞻:

  1. 設(shè)備制造:中科院長春光機(jī)所將展示基于銩(Tm)激光器的 EUV 光源原型機(jī),能效比現(xiàn)有 CO?激光器提升 10 倍,預(yù)計 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
  2. 材料創(chuàng)新:江西理工大學(xué)團(tuán)隊將發(fā)布全球首款摻鈧(Sc)的氮化鋁(AlN)壓電薄膜,使 5G 射頻濾波器性能提升 40%。
  3. 先進(jìn)工藝:中芯國際將演示稀土摻雜的高 k 介質(zhì)在 2nm GAA 晶體管中的應(yīng)用,漏電率較傳統(tǒng)工藝降低 90%。
  4. 循環(huán)經(jīng)濟(jì):廈門鎢業(yè)將展示稀土永磁體回收技術(shù),實(shí)現(xiàn)鏑(Dy)、鋱(Tb)等中重稀土的閉環(huán)利用,成本較原礦開采降低 60%。

政策與產(chǎn)業(yè)聯(lián)動:展會期間將舉辦 “稀土 - 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展論壇”,工信部相關(guān)負(fù)責(zé)人將解讀最新管制政策,華為海思、長江存儲等龍頭企業(yè)將分享稀土材料的國產(chǎn)化替代進(jìn)展。

未來趨勢:稀土驅(qū)動半導(dǎo)體技術(shù)范式變革

  1. 極紫外光刻突破:LLNL 的銩激光器若商業(yè)化,可使 EUV 光刻成本降低 70%,推動 2nm 以下制程普及。
  2. 自旋電子學(xué)革命:摻銩(Tm)的稀磁半導(dǎo)體(DMS)將實(shí)現(xiàn)磁存儲與邏輯運(yùn)算的集成,存儲密度較傳統(tǒng) MRAM 提升 10 倍。
  3. 硅基光電集成:氧化銪(Eu?O?)薄膜與硅光子學(xué)的結(jié)合,有望催生低成本光通信模塊,打破國外在光芯片領(lǐng)域的壟斷。

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稀土元素正從 “幕后” 走向 “臺前”,成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵變量。IC China 2025 作為產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo),將集中呈現(xiàn)稀土技術(shù)的最新突破與應(yīng)用場景,為全球半導(dǎo)體從業(yè)者提供洞察未來的窗口。隨著中國在稀土資源與技術(shù)領(lǐng)域的雙重發(fā)力,一場由 “工業(yè)維生素” 驅(qū)動的科技革命正在悄然開啟。展會信息速覽

  • 第二十二屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(IC China 2025)

  • 時間:2025 年 11 月 23-25 日

  • 地點(diǎn):北京?國家會議中心

  • 展位預(yù)定:13810788214



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